Prošli tjedan je Qualcomm najavio Snapdragon 835 koji je namijenjen najjačim smartfonima, a ujedno je nasljednik aktualnog Snapdragona 821. Tada je otkriveno tek nekoliko detalja, da će biti izrađen u Samsungovom 10 nm FinFET procesu i da će podržavati novu generaciju brzog punjenja, QuickCharge 4.0.
Na jednoj kineskoj tech stranici su objavljeni navodni detalji o čipsetu koji će imati osam Kryo 200 jezgri trenutno nepoznatog takta, za razliku od četiri Kryo jezgre u S820 i S821, a stiže i poboljšani grafički čip Adreno 540 te X16 LTE modem. Na dnu tablice je spomenut Samsung Galaxy S8 koji će prema ovim podacima biti predstavljen na MWC-u u Barceloni, a mogući su i drugi modeli tijekom prvog kvartala 2017.
Uz vrh Qualcommove ponude stiže i novi procesor iz više srednje klase, Snapdragon 660. I on će imati 8 jezgri takta 2,2 i 1,9 GHz, grafički čip Adreno 512 i X10 LTE modem. Izrađivat će se u 14 nm FinFET LPP procesu, a prvi uređaji s ovim procesorom će biti OPPO i Vivo.
