U industriji poluvodiča, gdje se bitke vode nanometrima, Huawei povlači potez koji bi mogao redefinirati globalni tehnološki poredak. Ova kineksa kompanija, unatoč strogim američkim sankcijama koje joj priječe pristup najnaprednijim alatima, ne odustaje od utrke za vrh. Najnoviji patent sugerira da su inženjeri pronašli zaobilazni put do proizvodnje 2-nanometarskih čipova, koristeći postojeću, stariju opremu.
Nakon što je ove godine uspješno lansirao Kirin 9030 (5nm čip koji pokreće seriju Mate 80), Huawei već gleda prema sljedećoj granici. Pitanje koje muči zapadne analitičare glasi: kako postići takvu preciznost bez pristupa EUV strojevima nizozemskog ASML-a, koji su industrijski standard za sve ispod 5nm? Podsjetimo, ASML, kao najveća europska tehnološka kompanija, ne smije isporučivati EUV strojeve kineskim partnerima zbog političkih pritisaka Washingtona.
Odgovor leži u patentnoj prijavi naslovljenoj "Metoda integracije metala za proizvodnju integriranih uređaja". Iako je prijava podnesena još u lipnju 2022., javno je objavljena početkom ove godine, otkrivajući sofisticiranu metodu rješavanja problema u BEOL fazi (Back-End-Of-Line).
Naime, proizvodnja čipova dijeli se na stvaranje tranzistora (FEOL) i njihovo povezivanje (BEOL). Upravo je BEOL faza kritična kod minijaturizacije, jer metalni slojevi koji povezuju milijarde tranzistora moraju biti iznimno precizni kako bi se izbjeglo kašnjenje signala i osigurala pouzdanost.
Novi Huaweijev patent fokusira se na postizanje metalnog koraka (pitch) od 21 nm ili manje. U svijetu poluvodiča, to je "sveti gral" koji omogućuje gustoću i performanse karakteristične za 2nm i 3nm tehnološke procese.
Dr. Frederick Chen, istraživač poluvodiča koji je analizirao patent, tvrdi da je ključ u inovativnom korištenju starijih DUV strojeva, kojima Huawei i njegov partner SMIC imaju pristup.
Umjesto oslanjanja na jedan ultra-precizan potez EUV laserom (što Huawei ne može učiniti), tvrtka planira koristiti tehniku SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning). Pojednostavljeno, to je proces višestruke ekspozicije gdje se jedan uzorak "ispisuje" četiri puta kako bi se postigla veća gustoća linija.
Patent opisuje proces u dva koraka koji koristi višeslojne tvrde maske za stvaranje i zaštitu uskih metalnih linija. Rezultat je aktivacija tzv. potpuno samoporavnatih spojeva (FSAV). Ova metoda drastično smanjuje pogreške u pozicioniranju (Edge Placement Errors) i osigurava stabilne električne veze bez potrebe za najmodernijim litografskim skenerima.
Ako Huawei uspješno implementira ovu tehnologiju u masovnu proizvodnju, implikacije su ogromne:
-
Tehnološka neovisnost: Huawei bi mogao proizvoditi čipove koji pariraju TSMC-u i Samsungu bez ovisnosti o zapadnoj opremi.
-
Smanjenje troškova: Iako je SAQP proces složeniji i vremenski zahtjevniji, on omogućuje korištenje jeftinijih i dostupnih DUV strojeva.
-
Performanse: Smanjenje kapacitivnosti i bolja pouzdanost međusobnih veza direktno utječu na brzinu i energetsku učinkovitost budućih uređaja.
Iako je put od patenta do komercijalnog proizvoda dug, ovaj dokument jasno pokazuje da sankcije nisu zaustavile inovacije u Kini, samo su ih prisilile da postanu kreativnije.
