Ako ste mislili da je 3 GB RAM-a na Samsungu Galaxy Note 3 puno, pričekajte još malo i vidjet ćete kako i ovaj segment tek počinje rasti. Naime, Samsung je upravo objavio kako je razvio prvi niskoenergetski 8-gigabitni DDR memorijski čip namijenjen ugradnji u smartfone tablete i prijenosnike.
Navedeni memorijski čip postiže propusnost od 3.1 Gbps, što je za 50% više od DDR3 memorije prethodne generacije, uz istovremeno za 40% manju potrošnju energije.
Serijska proizvodnja ovog čipa planirana je za 2014. godinu, ali nije specificirano na koji dio godine se misli.
